Название: Аналоговые и цифровые устройства Часть 1 - Методические указания к лабораторным работам (А.В. Скуднов)

Жанр: Радиотехнический

Просмотров: 1193


Лабораторная работа № 1 исследование вольтфарадных и вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов

 

Цель работы: Исследовать физические процессы, происходящие в полупроводниковом диоде, ознакомиться с вольтамперными характеристиками (ВАХ) диодов различных типов, вольтфарадными характеристиками (ВФХ), схемами снятия характеристик, методами определениями параметров диодов по их характеристикам.

Подготовительная часть работы. Изучить теорию работы полупроводникового диода, связь между параметрами ВАХ и ВФХ диодов с физическими параметрами рип областей. Ознакомиться с особенностями ВАХ полупроводниковых диодов различных типов, схемами снятия характеристик диодов и методами определения параметров диодов по их характеристикам.

Выписать из справочника паспортные данные диодов Д7, Д219, 2С168А, зарисовать их типовые характеристики.

Экспериментальная часть работы. Предлагаемые к исследованию диоды Д7, Д219, 2С168А размещены в цоколе ПУЛ, который через вось-миштырьковый разъем соединяется с лабораторным стендом.

Собрать схему (рис.1) для снятия прямой ветви ВАХ диода. Снять прямые ветви ВАХ диодов Д7, Д219, 2С168А. При этом целесообразно в качестве независимой переменной задавать прямой ток через диод, а в качестве функции отсчитывать прямое падение напряжения на нем. Прямой ток изменять в пределах от 0 до 15 мА.

Собрать схему (рис.2) для снятия обратной ветви ВАХ диодов Д7, Д219. Снять обратные ветви ВАХ. Обратное напряжение изменять в пределах от 0 до 70 В.

Собрать схему (рис.3) для снятия обратной ветви ВАХ стабилитрона 2С168А и произвести снятие ВАХ. При этом целесообразно в качестве независимой переменной брать обратный ток стабилитрона, а в качестве его функции - напряжение стабилизации. Снимать ВАХ до тока стабилизации 15 мА.

Собрать схему (рис.4) для снятия ВФХ диодов. Снять ВФХ диодов Д7, Д219. Обратное напряжение изменить в пределах от 0 до 15 В.

По полученным данным построить ВАХ и ВФХ диодов. Сравнить полученные ВАХ с характеристиками, взятыми из справочника. Результаты представить преподавателю для контроля.

 

Элемент НИРС. Рассмотреть методику определения параметров диодов по их ВАХ, зависимость параметров диодов от режима работы. Сформулировать описания отличий ВАХ и параметров германиевых и кремниевых диодов.

т

 

Контрольные вопросы

Пробой диода. Виды пробоев.

Типы полупроводниковых диодов: туннельные, варикапы, стабилитроны, импульсные, высокочастотные, выпрямительные.

Привести теоретические ВАХ различных типов полупроводниковых диодов.

Примеры электронных устройств с использованием полупроводниковых диодов.*

Влияние температуры на ВАХ полупроводниковых диодов.

Подпись:

 

О -15

 

Ik

 

 

ра

8(7,6)

 

PV0 ¥

2(3,4)

+ —

 

О - 70В

 

20k

 

pa

8(7)

 

2(3)

Рис.1

Рис.2

 

 

0- 70B

2k

pa

Рис. 3