Название: Измерение параметров сигналов, компонентов цепей и полупроводниковых приборов Часть 2 - Методические указания к лабораторным работам (В. А. Сергеев)

Жанр: Радиотехнический

Просмотров: 1133


6.3. порядок выполнения работы

Ознакомиться с макетом измерителя теплового сопротивления транзисторов.

Для всех пронумерованных транзисторов измерить напряжение на выходе УВХ при коллекторном напряжении UK - 10 В и нескольких значениях эмиттерного тока. Результат записать в таблицу 6.1. Температуру корпуса прибора контролировать термометром.

Таблица 6.1

■      Напряжение на выходе УВХ измерителя теплового сопротивления

транзисторов

иэ, мВ

Тип

Испытуемый транзистор

Номер

 

10

Эмиттерный ток, мА 50

 

100

 

Рассчитать значения тепловых сопротивлений по результатам измерений, представленных в табл.6.1 , принимая значения теплового коэффициента напряжения (ТКН) на эмиттерном переходе равным 1,8 мВ/К. Построить гистограмму распределения приборов по величине теплового сопротивления, оценить параметры распределения, сделать вывод о соответствии партии приборов требованиям ТУ. Оценить погрешность измерения RT, принимая относительную погрешность ТКН равной 10 \%.

Ознакомиться с макетом установки для измерения теплового импеданса переход-корпус транзисторов.

Измерить тепловой импеданс транзисторов типа КТ903А. Для этого:

6.3.5.1.            Установить испытуемый транзистор типа КТ903А в

измерительную колодку с теплоотводом, и задать режим работы

транзистора по постоянному току 1э = 400 мА, UK6 = 5 В. При этом

контролировать температуру корпуса транзистора по показаниям

термометра.

ВНИМАНИЕ!

Температура корпуса транзистора не должна превышать 60° С.

Установить частоту генератора ГЗ-34 равной 20 Гц.

Регулируя напряжение на выходе генератора ГЗ-34 и измеряя с   помощью   милливольтметра   ВЗ-38   напряжение   на коллекторе транзистора, установить переменную составляющую напряжения U3 равной 1,0 В.

6.3.5.4.            Измерить милливольтметром ВЗ-38 переменную

составляющую напряжения на эмиттере транзистора U3 , и результат

записать в таблицу 6.2.

6.3.5.5. Повторить измерения по п. 6.3.5.1. -ь 6.3.5.4. на нескольких частотах, в том числе, на частоте 20 кГц (U36(b)). Результат записать в таблицу 6.2.

Повторить измерения по п. 6.3.5. при других значениях коллекторного напряжения UK6i = 10 В и UK62 = 20 В.

Рассчитать значения теплового импеданса Zr(o>) для всех частот, на которых произведено измерение по формуле

7(ш)^Рэ6(н)~\%в) . (6.23) ^ ТКН-Р

Принимая значение ТКН равным 2,0 мВ/К, построить зависимости теплового импеданса транзистора ZT(co) для всех значений коллекторного напряжения.

Учесть при расчете Zr(a>), что переменная составляющая греющей мощности    постоянна и равна

Р=ик6-1Э. (6.24)

Оценить погрешность измерения Zt(co) на различных частотах, полагая относительную погрешность ТКН равной 10 \%.